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Complexe de Pyeongtaek : Samsung augmente la production 3D NAND

Pyeongtaek-Komplex: Samsung stockt 3D‑NAND‑Produktion auf
Complexe de Pyeongtaek : Samsung augmente la production 3D NAND
Photo : Samsung

Samsung se prépare à répondre à la demande croissante de mémoire flash pour les centres de données et les appareils mobiles. À cette fin, une nouvelle installation de production pour 3D NAND est en cours de construction au complexe de Pyeongtaek en Corée du Sud. La production devrait commencer au cours du second semestre 2021.

Le complexe de Pyeongtaek de Samsung continue à se développer

Le « Gigafab » de Samsung près de la ville portuaire de Pyeongtaek, dans la province sud-coréenne de Gyeonggi-do, continue de se développer. Ce n’est que fin mai que Samsung a annoncé l’extension du complexe industriel pour y inclure une ligne de production avec la technologie EUV 5 nm pour l’activité de fonderie (fabrication sous contrat), qui devrait commencer la production en série au second semestre 2021.

Lundi, Samsung a donné suite à ce communiqué de presse en annonçant l’expansion de la capacité de production du NAND 3D du fabricant, que Samsung V-NAND appelle le Samsung V-NAND. Là encore, Samsung parle de la seconde moitié de 2021 pour la production de masse, mais un procédé de fabrication différent sera probablement utilisé.

Plus de NAND 3D pour une demande croissante

Samsung justifie cette expansion par la perspective d’une nouvelle augmentation de la demande de mémoire flash NAND, dont le besoin se fait de plus en plus sentir, notamment dans les centres de données et pour les appareils mobiles tels que les smartphones. Les moteurs de la croissance des besoins mondiaux en matière de stockage sont l’intelligence artificielle, l’internet des objets et le passage au réseau sans fil rapide 5G, qui permet de transférer de grandes quantités de données en peu de temps.

Il reste à voir quel type de NAND 3D sortira de la chaîne de production l’année prochaine dans les nouvelles installations. Actuellement, Samsung a atteint la sixième génération (V-NAND V6), qui compte entre 110 et 128 couches, selon les spécifications ; officiellement, Samsung ne parle que de « 1xx-couche“. La prochaine septième génération (V-NAND V7) devrait comporter au moins 160 couches constituées de deux tours à couches composites (double stack).

La domination de Samsung vacille

Samsung est le leader du marché de la production et de la vente de NAND flash depuis de nombreuses années et a également été techniquement très en avance sur la concurrence pendant longtemps. Mais les concurrents ont maintenant rattrapé leur retard. Les partenaires Kioxia et Western Digital détiennent déjà ensemble des parts plus importantes que Samsung sur le marché mondial. Mais le leader du marché ne doit pas seulement lutter contre la concurrence établie, car avec YMTC, un nouveau venu de Chine fait son entrée sur le marché mondial du parquet NAND en 3D, qui veut faire une entrée majeure avec des investissements de plusieurs milliards de dollars US de la part de l’État chinois. Avec son NAND à 128 couches et ses partenariats avec divers géants de l’industrie taïwanaise, YMTC pourrait bientôt s’approprier une part importante du marché.

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Robin Vigneron

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