SK Hynix: TLC NAND-hukommelse med mere end 300 lag går i masseproduktion

: TLC NAND-hukommelse med mere end 300 lag kommer ind i seriens 19 kommentarer

SK Hynix: TLC NAND-hukommelse med mere end 300 lag går i masseproduktion

Billede: SK Hynix

SK Hynix masseproducerer nu 321-lags NAND, introduceret denne sommer. Det meddelte virksomheden offentligt i dag. Blemærket på 300 er blevet overskredet for første gang. Dette er TLC NAND med 3 bits pr. celle og 1 Tbit pr. chip.

Det betyder, at 3D NAND, som SK hynix kalder “4D NAND”, tilbyder flere cellelag end Microns G9 med 276 lag eller Samsungs V9 med 286 lag. Men dette siger intet om hukommelsens egenskaber. Udover overfladedensitet spiller ydeevne og holdbarhed også en rolle.

Med hensyn til lagerkapacitet pr. chip er alle nævnte TLC-hukommelser 1 Tbit, som i tidligere generationer var reserveret til 4 bits pr. celle QLC-varianter. Tidligere havde TLC-lageret typisk 512 Gbit, eller halvdelen af ​​lagervolumen.

SK Hynix havde tidligere talt om mere end 20 Gbit/mm² til sin 321-lags TLC NAND. Et konkret tal er stadig ikke tilgængeligt, men arealtætheden skulle være højere end Samsungs V9 TLC. Favoritten med hensyn til arealtæthed er dog fortsat Samsungs V9 QLC med 28,5 Gbit/mm².

SK Hynix ønsker også at øge ydeevnen med den nye generation og taler om 12 % højere overførselshastigheder og 13 % højere læseydelse sammenlignet med den forrige generation. Som det ofte er tilfældet, er denne information ikke konkret. De ser dog ikke så gode ud som stigningerne for “300+ Layer NAND” nævnt ved ISSCC 2023. Oplysningerne i nedenstående tabel kan nu være forældede.

De nye hukommelseschips forventes at være tilgængelige i produkter i løbet af første halvdel af 2025.

TLC til sammenligning Micron G9 Micron B58R /WD BiCS6 V9* Samsung V8 SK Hynix V9* SK Hynix V8 YMTC Type (bit/celle) TLC (3 bit) Kapacitet 1 Tbit Aircraft 6 4 ? 4 6 Lag (WL) 276 (2×138) 232 (2×116) 162 (2×81) 286 (2×143) 238 321 (3×107) 238 (2×119 ?) 232 Matrixoverflade ~ 49 mm² ~70 mm² 98 mm² ~60 mm² 89 mm²? 89 mm² 68 mm² Densitet 21 Gb/mm² 14,6 Gb/mm² 10,4 Gb/mm² ~17 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² >20 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² 15 Gb/mm² Aflæsning (tR ) ? 50µs? 45 µs 34 µs 45 µs ? program? 160 MB/s? 164 MB/s 194 MB/s 164 MB/s ? I/O 3,6 Gb/s 2,4 Gb/s 2,0 Gb/s 3,2 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s *Nøgledata delvist ubekræftede, henholdsvis estimerede eller forældede Emner: SK Hynix Storage 3D NAND flash hukommelse Kilde: SK Hynix

Skriv en kommentar

Din e-mailadresse vil ikke blive publiceret. Krævede felter er markeret med *

Scroll to Top