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Fabricant sous contrat : le TSMC pousse la recherche sur les 2 nm, l’AMD comble les lacunes de Huawei

Auftragsfertiger: TSMC forciert Forschung an 2 nm, AMD füllt Huawei-Lücken
Fabricant sous contrat : le TSMC pousse la recherche sur les 2 nm, l'AMD comble les lacunes de Huawei
Photo : TSMC

Selon les médias asiatiques, le TSMC pousse la recherche et le développement vers l’étape suivante de la production, qui vise à produire des puces de 2 nm. En attendant, AMD va utiliser les capacités libérées par l’interdiction de Huawei pour la production de 5 nm et veut ainsi éviter les erreurs du passé.

AMD veut éviter les mêmes erreurs

L’un des problèmes majeurs d’AMD au début de Zen 2 était la disponibilité de nombreux produits 7 nm. Par la suite, AMD a officiellement annoncé qu’elle avait sous-estimé la demande et commandé trop peu de plaquettes au TSMC.

Nous avons eu quelques lacunes dans les puces lorsque nous avons lancé nos Ryzens les plus performantes, et c’était simplement la demande qui dépassait nos attentes et nos prévisions. Ce n’était pas du tout un problème de TSMC.

AMD-CTO Mark Papermaster

AMD semble en avoir tiré les leçons et, selon des rapports médiatiques concordants, bénéficie désormais de l’interdiction américaine sur les produits Huawei, qui touche les fabricants sous contrat tels que TSMC. Ceux-ci auraient cessé d’accepter des commandes de Huawei le 15 mai et libèrent maintenant des capacités déjà réservées pour d’autres fabricants. On dit que l’AMD a accédé à 5 nm avec une préférence correspondante. Cela pourrait être utilisé pour une nouvelle génération de GPU ainsi que pour une génération de CPU, probablement Zen 4.

Le TSMC pousse la R&D à 2 nm : une nouvelle technologie ?

En attendant, le TSMC continue à travailler sur les technologies de fabrication à venir. Alors que le plan pour l’étape de production de 3 nm est en place depuis un certain temps, l’accent est maintenant mis sur le successeur avec 2 nm de plus. Parce qu’avec le début de la production de risques l’année prochaine à 3 nm et la production en série un an plus tard, la feuille de route pour 2 nm doit avoir été fixée depuis longtemps. Deux autres systèmes d’exposition à l’EUV contribueront à faire avancer la recherche et le développement pour le processus après le prochain rapport des médias asiatiques, dans lequel il y aura probablement des changements majeurs.

Alors que TSMC s’appuie toujours sur les FinFETs classiques à 3 nm et n’introduira aucune nouvelle technologie, c’est-à-dire qu’elle choisira la voie la plus sûre plutôt que la plus risquée, Samsung s’efforce déjà d’atteindre le même niveau de fiabilité et de performance que les autres entreprises. Un portail tout autour (GAA), ou comme l’appelle le fabricant, Multi-Bridge Channel FET (MBCFET), à 3 nm. Une évolution similaire est donc également attendue au sein de la TSMC, bien qu’elle ne soit pas prête pour une production en série avant 2023.

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Robin Vigneron

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