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Fonderie: le nouveau processus 4 nm de Samsung est prêt

Image: Samsung

Samsung a annoncé aujourd’hui qu’en plus d’un deuxième processus 5 nm plus avancé, le premier processus 4 nm était également terminé. Avec ces derniers, comme le souligne le fabricant avec confiance, on veut être un concurrent et une alternative à la puissance de marché de TSMC à l’avenir.

Dans le même temps, le développement se poursuit sur deux procédés de fabrication 3 nm qui vont apparaître l’un après l’autre. Cela n’a rien d’inhabituel chez Samsung, il existe souvent un processus LPE (Low Power Early), qui est ensuite complété par une variante LPP (Low Power Performance). Mais il n’y a pas encore d’horaire public. Samsung utilise pour la première fois des guichets automatiques à 3 nm, TSMC utilise toujours des FinFET classiques.

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Robin Vigneron

Par Robin Vigneron

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