ISSCC 2025 : Samsung prépare 4xx Layer V10 TLC NAND avec 5,6 Gb/s 7 commentaires
Image : Samsung
La Conférence internationale sur les circuits à semi-conducteurs, ou ISSCC 2025 en abrégé, débute en février. Des détails techniques sur les nouveaux produits semi-conducteurs peuvent être attendus ici. Il en va de même pour la NAND 3D de nouvelle génération. Ce que Samsung, SK Hynix et Kioxia prévoient pour le moins semble impressionnant.
Couche TLC-NAND 4xx de Samsung
Alors que cette année, l’accent a été mis sur le QLC-NAND avec 28,5 Gbit/mm² (voir photo de couverture), qui offre la densité surfacique la plus élevée de 3D NAND à ce jour, Samsung souhaite y parvenir avec une future génération avec TLC et 3 bits par cellule.
« Un Flash 3D-NAND WF-Bonding 3D-NAND de 28 Gb/mm² 4XX-Layer 1 To 3b/cell avec 5,6 Gb/s/pin IOs » est une session prévue par Samsung à l’ISSCC 2025. Le TLC-NAND avec « 4xx », soit plus de 400 couches, devrait avoir presque autant de capacité de stockage par zone à 28 Gbit/mm² QLC NAND 286 couches de la génération V9, dont la production en série a débuté en septembre.
L’interface NAND rapide de 5,6 Gbit/s par broche est également remarquable. Les puces NAND les plus rapides à ce jour à cet égard sont de 3,6 Gbit/s.
Samsung est depuis longtemps un leader dans le domaine de la 3D NAND, mais a pris du retard ces dernières années et doit désormais rattraper son retard. Le fait que Samsung utilise pour la première fois le collage de plaquettes en production avec la couche NAND 4xx est arrivé depuis longtemps à ses concurrents. YMTC lui avait déjà fait confiance pour son architecture « XTacking », Kioxia et Western Digital lui ont récemment emboîté le pas avec leur flash BiCS8.
Le collage de tranches décrit une étape de fabrication au cours de laquelle deux tranches de silicium sont reliées l’une à l’autre sur toute la surface. Dans le cas de la NAND 3D, la logique de la puce (E/S) et la zone mémoire sont initialement fabriquées séparément sur des tranches distinctes et ensuite combinées pour former une puce mémoire. Même si deux tranches sont nécessaires, les coûts globaux ne devraient pas augmenter, car la densité de stockage peut ainsi être considérablement augmentée, ce qui en vaut la peine.
Samsung devrait ignorer la couche 3xx
Il y a déjà eu des rumeurs selon lesquelles Samsung passerait directement de sa NAND 286 couches de la génération V9 à plus de 400 couches, sautant ainsi les couches 3xx. On parlait de 430 couches sur le Samsung V10. La présentation prévue de l’ISSCC conforte désormais davantage cette hypothèse.
SK Hynix a récemment lancé sa NAND TLC à 321 couches en production de masse.
2-Tbit-QLC avec 321 Layern par SK Hynix
Kioxia et Western Digital offrent actuellement la capacité de stockage (et non la densité) la plus élevée en NAND 3D avec le BiCS8-QLC-NAND, qui dispose de 2 Tbits par puce. SK Hynix prévoit également de fournir prochainement cette capacité de stockage avec sa variante QLC de la NAND à 321 couches. Le QLC-NAND devrait également atteindre un taux d’écriture de 75 Mo/s au niveau de la puce. C’est très rapide pour le stockage QLC. Les 60 Mo/s du BiCS6 QLC de Kioxia étaient déjà considérés comme rapides il y a deux ans.
Une mémoire Flash 3D-NAND-Flash de 321 couches, 2 To, 4 bits/cellule, avec un débit de programme de 75 Mo/s
SK Hynix pour l’ISSCC 2025
TLC efficace chez Kioxia
Chez Kioxia et Western Digital, l’accent est à nouveau mis sur l’efficacité énergétique. La prochaine session de l’ISSCC s’intitule « Une mémoire flash 3D de 1 To, 3 b/cellule, avec une opération de lecture à efficacité énergétique améliorée de 29 % et des E/S à terminaison faible et isolées de 4,8 Gb/s. » Il s’agit donc d’une nouvelle mémoire TLC avec 3 bits par cellule et 1 Tbit par puce, qui est censée fonctionner 29 % plus efficacement lors de la lecture. Reste à savoir exactement ce qui est comparé ici.
Sujets : Mémoire flash NAND 3D Kioxia Samsung SK Hynix Storage TLC Western Digital Source : ISSCC
Alice vous guide à travers les meilleures solutions de stockage, des SSD ultra-rapides aux options cloud sécurisées.
