Ricerca sulla memoria: Kioxia parla di OCTRAM, MRAM da 64 Gbit e della nuova flash 3D 14 commenti
Kioxia mira a presentare le nuove tecnologie di storage all’IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) di quest’anno. Questi includono una nuova forma di memoria flash 3D, OCTRAM sviluppata in collaborazione con Nanya, e MRAM con capacità di archiviazione notevolmente maggiore.
DRAM a transistor a canale a semiconduttore a ossido (OCTRAM)
Kioxia non ha molto a che fare con la DRAM, ma un team e i ricercatori del produttore di RAM Nanya stanno lavorando su quello che viene chiamato transistor a canale a semiconduttore di ossido DRAM, o OCTRAM in breve. Il cuore del sistema è un transistor verticale (parola chiave 3D DRAM), che richiede particolarmente poca energia grazie ad un semiconduttore di ossido. Nello specifico, i ricercatori affermano di aver prodotto un array OCTRAM funzionale da 275 Mbit (~34 MB). Si parla anche del primo “transistor a canale a semiconduttore a ossido con gate 4F2 DRAM (OCTRAM)” al mondo. Maggiori dettagli saranno comunicati ai visitatori del MEI il 9 dicembre.
MRAM ad alta capacità di archiviazione
La memoria ad accesso casuale magnetoresistivo (MRAM) è oggetto di ricerca da circa 30 anni. A differenza della DRAM, questa non è volatile e quindi conserva i dati anche quando l’alimentazione è spenta.
Anche se la MRAM è veloce e durevole come la DRAM, non è tuttavia un sostituto perché la capacità di memoria per chip è troppo bassa e i costi per bit sono corrispondentemente elevati. La MRAM è quindi finora un prodotto di nicchia e viene utilizzata, ad esempio, come memoria resistente alle radiazioni nel settore aerospaziale o come sostituto della SRAM nelle macchine da gioco.
Il leader di mercato Everspin offre attualmente la sua STT-MRAM con una capacità di memoria massima di 1 Gbit.
Kioxia e SK Hynix vogliono ora raggiungere un volume di archiviazione di 64 Gbit (8 GB) con il loro “Cross-Point MRAM”. Questo è anche più di quanto potesse gestire la precedente DRAM, che attualmente è di 32 GB. Le strutture più sottili sono cruciali per un’elevata capacità di archiviazione. Stiamo parlando della “scala più piccola mai utilizzata per la MRAM” con un mezzo passo di 20,5 nanometri. Maggiori dettagli sono previsti per il 10 dicembre.
Nuova memoria flash 3D
L’11 dicembre, Kioxia vuole concentrarsi sulla sua area principale di memoria flash nella sessione “Scalabilità superiore di flash a canale orizzontale avanzato per le future generazioni di memoria flash 3D”. Viene descritto un design in cui le celle non sono disposte verticalmente, come nella precedente NAND 3D, ma orizzontalmente. Si tratta di HCF (Horizontal Channel Flash) con celle 2F2 minimizzate, destinate ad ottenere memorie di massa affidabili con elevata densità di bit e costi contenuti.
Argomenti: Memoria flash 3D-NAND RAM Ricerca Industria dei semiconduttori IEDM 2024 Tecnologie di storage Kioxia MRAM Storage Fonte: Kioxia
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