SK Hynix: la memoria NAND TLC con più di 300 strati entra nella serie 19 commenti
Immagine: SK Hynix
SK Hynix sta ora producendo in serie NAND a 321 strati, introdotta quest’estate. L’azienda lo ha annunciato pubblicamente oggi. Per la prima volta è stata superata la soglia dei 300 pannolini. Si tratta di una NAND TLC con 3 bit per cella e 1 Tbit per chip.
Ciò significa che la 3D NAND, che SK hynix chiama “4D NAND”, offre più strati di celle rispetto al G9 di Micron con 276 strati o al V9 di Samsung con 286 strati. Ma questo non dice nulla sulle proprietà della memoria. Oltre alla densità della superficie, giocano un ruolo anche le prestazioni e la durata.
In termini di capacità di memorizzazione per chip, tutte le memorie TLC menzionate sono 1 Tbit, che nelle generazioni precedenti era riservata alle varianti QLC a 4 bit per cella. In precedenza, lo storage TLC aveva in genere 512 Gbit, ovvero la metà del volume di storage.
SK Hynix aveva precedentemente parlato di oltre 20 Gbit/mm² per la sua NAND TLC a 321 strati. Non sono ancora disponibili dati concreti, ma la densità dell’area dovrebbe essere superiore a quella del Samsung V9 TLC. Tuttavia, il preferito in termini di densità di area rimane il Samsung V9 QLC con 28,5 Gbit/mm².
SK Hynix vuole anche aumentare le prestazioni con la nuova generazione e parla di velocità di trasferimento più elevate del 12% e prestazioni di lettura più elevate del 13% rispetto alla generazione precedente. Come spesso accade, queste informazioni non sono concrete. Tuttavia, non sembrano buoni come gli aumenti per “300+ Layer NAND” menzionati all’ISSCC 2023. Le informazioni nella tabella seguente potrebbero ora non essere aggiornate.
Si prevede che i nuovi chip di memoria saranno disponibili nei prodotti durante la prima metà del 2025.
TLC 3D-NAND a confronto Micron G9 Micron B58R Kioxia/WD BiCS6 Samsung V9* Samsung V8 SK Hynix V9* SK Hynix V8 YMTC Tipo (bit/cella) TLC (3 bit) Capacità 1 Tbit Aereo 6 4 ? 4 6 Strato (WL) 276 (2×138) 232 (2×116) 162 (2×81) 286 (2×143) 238 321 (3×107) 238 (2×119 ?) 232 Superficie matrice ~ 49 mm² ~70 mm² 98 mm² ~60 mm² 89 mm²? 89 mm² 68 mm² Densità 21 Gb/mm² 14,6 Gb/mm² 10,4 Gb/mm² ~17 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² >20 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² 15 Gb/mm² Lettura (tR ) ? 50 µs? 45 µs 34 µs 45 µs ? programma? 160MB/s? 164 MB/s 194 MB/s 164 MB/s ? I/O 3,6 Gb/s 2,4 Gb/s 2,0 Gb/s 3,2 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s *Dati chiave in parte non confermati, rispettivamente stimati o obsoleti Argomenti: SK Hynix Storage 3D NAND flash memoria Fonte: SK Hynix
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