Pesquisa de memória: Kioxia fala sobre OCTRAM, MRAM de 64 Gbit e o novo flash 3D 14 comentários
Kioxia pretende apresentar novas tecnologias de armazenamento no IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) deste ano. Isso inclui uma nova forma de memória flash 3D, OCTRAM desenvolvida em colaboração com Nanya e MRAM com capacidade de armazenamento significativamente maior.
Transistor de canal semicondutor de óxido DRAM (OCTRAM)
Kioxia não tem muito a ver com DRAM, mas uma equipe e pesquisadores da fabricante de RAM Nanya estão trabalhando no que é chamado de transistor de canal semicondutor de óxido DRAM, ou OCTRAM, para abreviar. O coração do sistema é um transistor vertical (palavra-chave 3D DRAM), que requer particularmente pouca energia graças a um semicondutor de óxido. Especificamente, os pesquisadores afirmam ter produzido um array OCTRAM funcional de 275 Mbit (~34 MB). Também se fala do primeiro “transistor de canal semicondutor de óxido fechado 4F2 DRAM (OCTRAM)” do mundo. Mais detalhes serão comunicados aos visitantes do MEI no dia 9 de dezembro.
MRAM de alta capacidade de armazenamento
A memória magnetorresistiva de acesso aleatório (MRAM) tem sido objeto de pesquisas há aproximadamente 30 anos. Ao contrário da DRAM, esta não é volátil e, portanto, retém dados mesmo quando a energia é desligada.
Embora a MRAM seja tão rápida e durável quanto a DRAM, ela está longe de ser uma substituição porque a capacidade de armazenamento por chip é muito baixa e os custos por bit são correspondentemente altos. A MRAM é, portanto, um produto de nicho até agora e é usada, por exemplo, como memória resistente à radiação na indústria aeroespacial ou como substituto da SRAM em máquinas de jogos.
A líder de mercado Everspin oferece atualmente seu STT-MRAM com capacidade máxima de armazenamento de 1 Gbit.
Kioxia e SK Hynix agora querem atingir um volume de armazenamento de 64 Gbit (8 GB) com seu “Cross-Point MRAM”. Isso é ainda mais do que a DRAM anterior conseguia suportar, que atualmente é de 32 GB. Estruturas mais finas são cruciais para alta capacidade de armazenamento. Estamos falando da “menor escala já usada para MRAM” com meio passo de 20,5 nanômetros. Mais detalhes estão planejados para 10 de dezembro.
Nova memória flash 3D
Em 11 de dezembro, a Kioxia quer se concentrar em sua área central de memória flash na sessão “Escalabilidade Superior de Flash de Canal Horizontal Avançado para Gerações Futuras de Memória Flash 3D”. É descrito um projeto no qual as células não são organizadas verticalmente, como no 3D NAND anterior, mas horizontalmente. Estamos falando de Horizontal Channel Flash (HCF) com células 2F2 minimizadas, destinado a obter armazenamento em massa confiável com alta densidade de bits e baixos custos.
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