Recherche mémoire : Kioxia parle d’OCTRAM, de MRAM 64 Gbit et du nouveau flash 3D 14 commentaires
Kioxia souhaite présenter de nouvelles technologies de stockage lors du IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) de cette année. Il s’agit notamment d’une nouvelle forme de mémoire flash 3D, OCTRAM développée en collaboration avec Nanya, et de MRAM avec une capacité de stockage nettement supérieure.
DRAM de transistor à canal oxyde-semi-conducteur (OCTRAM)
Kioxia n’a pas grand-chose à voir avec la DRAM, mais une équipe et des chercheurs du fabricant de RAM Nanya travaillent sur ce que l’on appelle le transistor à canal oxyde-semi-conducteur DRAM, ou OCTRAM en abrégé. Le cœur du système est un transistor vertical (mot clé 3D DRAM), qui nécessite particulièrement peu d’énergie grâce à un semi-conducteur à oxyde. Plus précisément, les chercheurs affirment avoir produit une matrice OCTRAM fonctionnelle de 275 Mbits (~ 34 Mo). On parle également du premier «transistor à canal oxyde-semi-conducteur à grille 4F2 DRAM (OCTRAM)» au monde. Plus de détails seront communiqués aux visiteurs de l’IEDM le 9 décembre.
MRAM à haute capacité de stockage
La mémoire magnétorésistive à accès aléatoire (MRAM) fait l’objet de recherches depuis environ 30 ans. Contrairement à la DRAM, celle-ci est non volatile et conserve donc les données même lorsque l’alimentation est coupée.
Même si la MRAM est aussi rapide et durable que la DRAM, elle est loin de pouvoir la remplacer car la capacité de stockage par puce est bien trop faible et les coûts par bit sont en conséquence élevés. La MRAM est donc jusqu’à présent un produit de niche et est utilisée, par exemple, comme mémoire résistante aux radiations dans l’aérospatiale ou en remplacement de la SRAM dans les machines de jeux.
Le leader du marché Everspin propose actuellement sa STT-MRAM avec une capacité de stockage maximale de 1 Gbit.
Kioxia et SK Hynix souhaitent désormais atteindre un volume de stockage de 64 Gbit (8 Go) avec leur « Cross-Point MRAM ». C’est encore plus que ce que la DRAM précédente pouvait gérer, qui est actuellement de 32 Go. Des structures plus fines sont cruciales pour une capacité de stockage élevée. Nous parlons de « la plus petite échelle jamais utilisée pour la MRAM » avec un demi-pas de 20,5 nanomètres. Plus de détails sont prévus pour le 10 décembre.
Nouvelle mémoire flash 3D
Le 11 décembre, Kioxia souhaite se consacrer à son domaine principal de la mémoire flash lors de la session « Évolutivité supérieure du flash à canal horizontal avancé pour les futures générations de mémoire flash 3D ». Une conception est décrite dans laquelle les cellules ne sont pas disposées verticalement, comme dans la précédente NAND 3D, mais horizontalement. Nous parlons de Flash à canal horizontal (HCF) avec des cellules 2F2 minimisées, destiné à réaliser un stockage de masse fiable avec une densité de bits élevée et de faibles coûts.
Sujets : RAM 3D-NAND Recherche sur la mémoire flash Industrie des semi-conducteurs IEDM 2024 Technologies de stockage Kioxia MRAM Stockage Source : Kioxia
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