SK Hynix : la mémoire TLC NAND avec plus de 300 couches entre dans la série 19 commentaires
Image : SK Hynix
SK Hynix produit désormais en série la NAND à 321 couches, introduite cet été. La société l’a annoncé publiquement aujourd’hui. La barre des 300 couches est dépassée pour la première fois. Il s’agit de TLC NAND avec 3 bits par cellule et 1 Tbit par puce.
Cela signifie que la 3D NAND, que SK hynix appelle « 4D NAND », offre plus de couches de cellules que le G9 de Micron avec 276 couches ou le V9 de Samsung avec 286 couches. Mais cela ne dit rien sur les propriétés de la mémoire. Outre la densité de surface, les performances et la durabilité jouent également un rôle.
En termes de capacité de stockage par puce, toutes les mémoires TLC mentionnées sont de 1 Tbit, ce qui dans les générations précédentes était réservé aux variantes QLC à 4 bits par cellule. Auparavant, le stockage TLC disposait généralement de 512 Gbits, soit la moitié du volume de stockage.
SK Hynix avait précédemment parlé de plus de 20 Gbit/mm² pour sa TLC NAND à 321 couches. Un chiffre concret n’est toujours pas disponible, mais la densité de zone devrait être supérieure à celle du V9 TLC de Samsung. Cependant, le favori en termes de densité de surface reste le V9 QLC de Samsung avec 28,5 Gbit/mm².
SK Hynix souhaite également augmenter les performances avec la nouvelle génération et parle de taux de transfert 12 % plus élevés et de performances de lecture 13 % plus élevées par rapport à la génération précédente. Comme c’est souvent le cas, ces informations ne sont pas concrètes. Cependant, ils ne semblent pas aussi bons que les augmentations pour le « 300+ Layer NAND » mentionnées lors de l’ISSCC 2023. Les informations contenues dans le tableau ci-dessous sont peut-être désormais obsolètes.
Les nouvelles puces mémoire devraient être disponibles dans les produits au cours du premier semestre 2025.
TLC 3D-NAND en comparaison Micron G9 Micron B58R Kioxia/WD BiCS6 Samsung V9* Samsung V8 SK Hynix V9* SK Hynix V8 YMTC Type (bit/cellule) TLC (3 bits) Capacité 1 Tbit Avions 6 4 ? 4 6 Couche (WL) 276 (2×138) 232 (2×116) 162 (2×81) 286 (2×143) 238 321 (3×107) 238 (2×119 ?) 232 Surface de la matrice ~49 mm² ~70 mm² 98 mm² ~60 mm² 89 mm² ? 89 mm² 68 mm² Densité 21 Gb/mm² 14,6 Gb/mm² 10,4 Gb/mm² ~17 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² >20 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² 15 Gb/mm² Lecture (tR) ? 50µs ? 45 µs 34 µs 45 µs ? programme? 160 Mo/s ? 164 Mo/s 194 Mo/s 164 Mo/s ? E/S 3,6 Gb/s 2,4 Gb/s 2,0 Gb/s 3,2 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s *Données clés en partie non confirmées, respectivement estimées ou obsolètes Sujets : Mémoire flash NAND 3D SK Hynix Storage Source : SK Hynix
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