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SK Hynix: première usine EUV M16 prête pour Alpha-DRAM (1a)

Image: SK Hynix

Après une période de construction de deux bonnes années, le fabricant sud-coréen de semi-conducteurs SK Hynix a achevé l’usine M16 à son siège à Icheon. Dans l’usine, le fabricant produit pour la première fois en utilisant la lithographie EUV pour des largeurs de structure plus fines. Au second semestre, la nouvelle génération de DRAM « 1a » devrait sortir de la chaîne de montage.

La nouvelle usine de stockage M16 est à ce jour la plus grande de SK Hynix. Selon l’entreprise, le système a été construit sur une superficie de 57 000 mètres carrés, mesure 336 mètres de long et 163 mètres de large, il mesure donc près de 55 000 mètres carrés. La hauteur de 105 mètres correspond à un immeuble résidentiel de 37 étages.

Les travaux de construction ont commencé en novembre 2018, le temps de construction était donc d’environ 25 mois. Depuis, la société a investi environ 3,5 billions de wons sud-coréens, ce qui, au taux de change actuel, correspond à un peu moins de 2,6 milliards d’euros ou 3,1 milliards de dollars américains.

Les débuts de l’EUV pour SK Hynix

Afin de réduire davantage les largeurs structurelles des puces, de nombreux fabricants s’appuient sur ce que l’on appelle le rayonnement ultraviolet extrême (EUV) comme nouveau moyen de photolithographie pour la production de photomasques. SK Hynix a également utilisé des systèmes EUV correspondants à titre expérimental dans le M14, mais la production en série réelle avec EUV a maintenant lieu dans le M16.

EUV pour DRAM 1-alpha, pas à Micron

Tout comme Samsung, SK Hynix souhaite, entre autres, utiliser le nouveau procédé EUV pour fabriquer la DRAM dite «1a». Derrière cela se trouve une nouvelle génération qui hérite du processus 1z avec des structures encore plus fines et recommence avec la première lettre de l’alphabet désormais grec. Ainsi, le « a » signifie « Alpha ». SK Hynix prévoit de produire des produits 1a DRAM au second semestre 2021.

Micron produit déjà en série son Alpha DRAM. Le fait que le fabricant américain devance ses concurrents sud-coréens est principalement dû au fait que la lithographie conventionnelle DUV (ultraviolet profond) est utilisée à la place de l’EUV. Néanmoins, Micron affirme avoir augmenté la densité de stockage de 40% par rapport à sa DRAM 1z et se réfère, entre autres, à une conception plus efficace.

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Robin Vigneron

Par Robin Vigneron

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