Minnesforskning: Kioxia pratar om OCTRAM, 64 Gbit MRAM och den nya 3D-blixten 14 kommentarer
Kioxia siktar på att visa upp ny lagringsteknik vid årets IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). Dessa inkluderar en ny form av 3D-flashminne, OCTRAM utvecklat i samarbete med Nanya, och MRAM med betydligt större lagringskapacitet.
Oxid-halvledarkanaltransistor DRAM (OCTRAM)
Kioxia har inte så mycket med DRAM att göra, men ett team och forskare på RAM-tillverkaren Nanya arbetar med vad som kallas DRAM-oxid-halvledarkanaltransistorn, eller OCTRAM för kort. Hjärtat i systemet är en vertikal transistor (sökord 3D DRAM), som kräver särskilt lite energi tack vare en oxidhalvledare. Specifikt hävdar forskarna att de har producerat en funktionell 275 Mbit (~34 MB) OCTRAM-array. Det talas också om världens första ”4F2 DRAM gated oxide-semiconductor channel transistor (OCTRAM)”. Mer information kommer att meddelas besökare till MEI den 9 december.
Hög lagringskapacitet MRAM
Magnetoresistivt random access memory (MRAM) har varit föremål för forskning i cirka 30 år. Till skillnad från DRAM är detta icke-flyktigt och behåller därför data även när strömmen stängs av.
Även om MRAM är lika snabbt och hållbart som DRAM är det långt ifrån en ersättning eftersom lagringskapaciteten per chip är alldeles för låg och kostnaderna per bit är motsvarande höga. MRAM är därför en nischprodukt än så länge och används till exempel som strålningsbeständigt minne inom flyg eller som ersättning för SRAM i spelmaskiner.
Marknadsledaren Everspin erbjuder för närvarande sitt STT-MRAM med en maximal lagringskapacitet på 1 Gbit.
Kioxia och SK Hynix vill nu nå en lagringsvolym på 64 Gbit (8 GB) med sitt ”Cross-Point MRAM”. Detta är till och med mer än vad det tidigare DRAM-minnet kunde hantera, vilket för närvarande är 32 GB. Tunnare strukturer är avgörande för hög lagringskapacitet. Vi pratar om ”den minsta skalan som någonsin använts för MRAM” med ett halvsteg på 20,5 nanometer. Mer information planeras till den 10 december.
Nytt 3D-flashminne
Den 11 december vill Kioxia fokusera på sitt kärnområde av flashminne i sessionen ”Överlägsen skalbarhet av avancerad horisontell kanalflash för framtida generationer av 3D-flashminne.” En design beskrivs där cellerna inte är anordnade vertikalt, som i tidigare 3D NAND, utan horisontellt. Vi pratar om Horizontal Channel Flash (HCF) med minimerade 2F2-celler, avsedd att uppnå tillförlitlig masslagring med hög bitdensitet och låga kostnader.
Ämnen: 3D-NAND RAM Flash Memory Research Semiconductor Industry IEDM 2024 Storage Technologies Kioxia MRAM Storage Källa: Kioxia
Alice guidar dig genom de bästa lagringslösningarna, från ultrasnabba SSD:er till säkra molnalternativ.
