Perspektiv på BICS9 3D-NAND: Sandisk kunde slå Samsung V10 med minnestäthet 4 kommentarer
Bild: Sanisk
Sandisk arbetar med Koxia på nästa generation av NAND-Flash. BICS8 följer BICS9 och antalet lager ökar från 218 till över 300. På Sandisks investerardag blev det lite syn och lärdom varför Bics Flash är bäst i branschen.
BICS9 med mer densitet och mer prestanda
När det gäller minnestäthet skulle BICS9 öka med cirka 59 % jämfört med BICS8. Länge betyder det inte att kostnaderna minskar i samma utsträckning. De ytterligare platserna innebär i sin tur fler nödvändiga arbetsmoment med tillhörande kostnader.
Sandisk ger en liten översikt över BICS9 (Bild: Sandisk)
Baserat på 18,3 GBIT/mm², som officiellt nämns som minnestätheten för BICS8 (TLC), skulle en ökning innebära 59 % av minnestätheten på hela 29,1 Gbit/mm² för BICS9 (TLC). Detta skulle också göra Samsungs högpresterande TLC-NAND-lagerklass 4xx. För närvarande är detta dock bara en uppskattning. För ISSCC 2025 under den kommande veckan vill Kioxia och Sandisk avslöja mer. Samsungs V10-Nand är också på planen.
”Överföringshastigheten” bör vara över 30% högre, vilket ska vara synligt. Sandisk partner Kioxia vill introducera TLC-NAND med en I/O-hastighet på 4,8 GBIT/s på ISSCC 2025 TLC-NAND Detta skulle dock vara en 50% ökning från 3,2 GBIT/S på BICS8.
30,2A 3B/cell 1TB 3D Flash-minne med 29 % energieffektiv läsfunktion och 4,8GB/s lågterminering IOS Low Application.
Kioxia, från ISSCC 2025-programmet
Det finns också en 18% ökning i skrivkapacitet (programbredd) och en 10% ökad läshastighet (läsbandbredd).
Sandisk deltar inte i blöjrace
Ur Sandisks och kioxies synvinkel är att lägga till fler nivåer (lager) i 3D-NAND en enkel, men inte särskilt effektiv och inte särskilt ekonomisk åtgärd för att ytterligare öka bittätheten. Koxias och Sandisks samriskföretag med 218 lager ligger för närvarande klart efter konkurrenter som Samsung (286 lager) och Micron (276 lager). Men med bit-per-lager-densitet är Sandisk / Koxia ledande och uppnår därmed hög ytdensitet med endast 218 lager.
Vilka åtgärder för att skala 3D-NAND är mest effektiva ur Sandisks synvinkel (Bild: Sandisk)
Tillverkaren ser också sin egen BICS8 bättre positionerad i prestanda och energieffektivitet än nuvarande konkurrenter. Jämförelsen är sen utan konkreta värden eller namngivning av den utvalda konkurrenten.
Sandisk jämför BICS8 med en konkurrent (Bild: Sandisk)
För första gången förlitade sig Koxia och Sanisk på BICS8 på en tillverkningsprocess med Waferbonden, vilket redan demonstrerats av den kinesiska nykomlingen YMTC. Nivåer med minnesceller görs på en separat nivå och logik på en annan. De två skivorna är slutligen sammankopplade, proceduren kallas ”direct-board CMOS”, för korta CBA, i Sandisk och Kioxia. CBA måste också användas i BICS9.
Ämnen: 3D-NAND Flash-minne ISSSCC 2025 Koxia SANDISK STORAGE WESTERNE WESTER
Alice guidar dig genom de bästa lagringslösningarna, från ultrasnabba SSD:er till säkra molnalternativ.
