SK Hynix: TLC NAND-minne med mer än 300 lager går in i massproduktion

: TLC NAND-minne med mer än 300 lager kommer in i serien 19 kommentarer

SK Hynix: TLC NAND-minne med mer än 300 lager går in i massproduktion

Bild: SK Hynix

SK Hynix massproducerar nu 321-lagers NAND, som introducerades i somras. Företaget meddelade detta offentligt idag. 300 blöjmärket har överskridits för första gången. Detta är TLC NAND med 3 bitar per cell och 1 Tbit per chip.

Det betyder att 3D NAND, som SK hynix kallar ”4D NAND”, erbjuder fler celllager än Microns G9 med 276 lager eller Samsungs V9 med 286 lager. Men detta säger ingenting om minnets egenskaper. Förutom ytdensitet spelar även prestanda och hållbarhet roll.

När det gäller lagringskapacitet per chip är alla nämnda TLC-minnen 1 Tbit, vilket i tidigare generationer var reserverat för 4 bitar per cell QLC-varianter. Tidigare hade TLC- vanligtvis 512 Gbit, eller halva lagringsvolymen.

SK Hynix hade tidigare pratat om mer än 20 Gbit/mm² för sin 321-lagers TLC NAND. En konkret siffra är fortfarande inte tillgänglig, men yttätheten bör vara högre än Samsungs V9 TLC. Favoriten vad gäller yttäthet är dock Samsungs V9 QLC med 28,5 Gbit/mm².

SK Hynix vill också öka prestandan med den nya generationen och talar om 12 % högre överföringshastigheter och 13 % högre läsprestanda jämfört med föregående generation. Som ofta är denna information inte konkret. De ser dock inte lika bra ut som ökningarna för ”300+ Layer NAND” som nämndes vid ISSCC 2023. Informationen i tabellen nedan kan nu vara inaktuell.

De nya minneskretsarna förväntas finnas tillgängliga i produkter under första halvåret 2025.

TLC i jämförelse Micron G9 Micron B58R /WD BiCS6 V9* Samsung V8 SK Hynix V9* SK Hynix V8 YMTC Typ (bit/cell) TLC (3 bitar) Kapacitet 1 Tbit Flygplan 6 4 ? 4 6 Lager (WL) 276 (2×138) 232 (2×116) 162 (2×81) 286 (2×143) 238 321 (3×107) 238 (2×119 ?) 232 Matrisyta ~ 49 mm² ~70 mm² 98 mm² ~60 mm² 89 mm²? 89 mm² 68 mm² Densitet 21 Gb/mm² 14,6 Gb/mm² 10,4 Gb/mm² ~17 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² >20 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² 15 Gb/mm² Avläsning (tR ) ? 50 µs? 45 µs 34 µs 45 µs ? programmera? 160 MB/s? 164 MB/s 194 MB/s 164 MB/s ? I/O 3,6 Gb/s 2,4 Gb/s 2,0 Gb/s 3,2 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s *Nyckeldata delvis obekräftade, respektive uppskattade eller föråldrade Ämnen: SK Hynix Storage 3D NAND flash minne Källa: SK Hynix

Lämna en kommentar

Din e-postadress kommer inte publiceras. Obligatoriska fält är märkta *

Rulla till toppen