Perspectivas sobre BICS9 3D-NAND: Sandisk podría superar al Samsung V10 en densidad de memoria

Perspectivas sobre BICS9 : podría vencer al Samsung V10 en densidad de memoria 4 comentarios

Perspectivas sobre BICS9 3D-NAND: Sandisk podría superar al Samsung V10 en densidad de memoria

Imagen: Sanisk

Sandisk está trabajando con Koxia en la próxima generación de NAND-Flash. BICS8 sigue a BICS9 y el número de capas aumenta de 218 a más de 300. En el día del inversor de Sandisk, hubo una pequeña visión y lección de por qué Bics Flash es el mejor de la industria.

BICS9 con más densidad y más rendimiento

En términos de densidad de memoria, BICS9 aumentaría alrededor de un 59% en comparación con BICS8. Durante mucho tiempo, esto no significa que los costes disminuyan en la misma medida. Las ubicaciones adicionales implican a su vez más pasos de trabajo necesarios con costes asociados.

Sandisk ofrece una pequeña descripción general de BICS9 Sandisk proporciona una pequeña descripción general de BICS9 (Imagen: Sandisk)

Basado en los 18,3 Gbit/mm², que se menciona oficialmente como la densidad de memoria para BICS8 (TLC), un aumento significaría un 59% de la densidad de memoria de la friolera de 29,1 Gbit/mm² para BICS9 (TLC). Esto también haría que la capa TLC-NAND de alto rendimiento de Samsung sea de clase 4xx. Por ahora, sin embargo, esto es sólo una estimación. Para ISSCC 2025 la próxima semana, Kioxia y Sandisk quieren revelar más. El Samsung V10-Nand también está en el plan.

La “velocidad de transferencia” debería ser más de un 30% mayor, lo que debería ser visible. Kioxia, socio de Sandisk, quiere introducir TLC-NAND con una velocidad de E/S de 4,8 GBIT/s en el TLC-NAND ISSCC 2025. Sin embargo, esto supondría un aumento del 50 % con respecto a los 3,2 GBIT/S de BICS8.

Memoria flash 3D de 30,2 A, 3 B/celda y 1 TB con operación de lectura con eficiencia energética del 29 % y aplicación baja de de baja terminación de 4,8 GB/s.

Kioxia, del programa ISSCC 2025

También hay un aumento del 18 % en el rendimiento de escritura (ancho del programa) y un aumento del 10 % en la velocidad de lectura (ancho de banda de lectura).

Sandisk no participa en la carrera de pañales

Desde el punto de vista de Sandisk y Kioxie, añadir más niveles (capa) en 3D-NAND es una medida sencilla, pero poco eficaz y poco económica, para aumentar aún más la densidad de bits. La empresa conjunta de Koxia y Sandisk con 218 capas está actualmente claramente por detrás de competidores como Samsung (286 capas) y Micron (276 capas). Pero en densidad de bits por capa, Sandisk/Koxia es líder y, por lo tanto, logra una alta densidad de superficie con sólo 218 capas.

¿Qué métricas para la escala 3D-NAND son más efectivas desde la perspectiva de SanDisk? Qué medidas para escalar 3D-NAND son más efectivas desde el punto de vista de Sandisk (Imagen: Sandisk)

El también ve su propio BICS8 mejor posicionado en rendimiento y eficiencia energética que la competencia actual. La comparación llega tarde sin valores concretos ni nombre del competidor seleccionado.

Sandisk compara BICS8 con un competidor Sandisk compara BICS8 con un competidor (Imagen: Sandisk)

Koxia y Sanisk confiaron por primera vez en BICS8 en un proceso de fabricación con Waferbonden, como ya demostró el recién llegado chino YMTC. Los niveles con celdas de memoria se crean en un nivel separado y la lógica en otro. Finalmente se conectan las dos obleas, el procedimiento se denomina “direct-board CMOS”, abreviado CBA, en Sandisk y Kioxia. CBA también debe usarse en BICS9.

Temas: Memoria Flash 3D-NAND ISSSCC 2025 Koxia SANDISK WESTERNE WESTER

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