Investigación sobre memoria: Kioxia habla de OCTRAM, 64 Gbit MRAM y el nuevo flash 3D 14 comentarios
Kioxia tiene como objetivo mostrar nuevas tecnologías de almacenamiento en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM) de IEEE de este año. Estos incluyen una nueva forma de memoria flash 3D, OCTRAM desarrollada en colaboración con Nanya, y MRAM con una capacidad de almacenamiento significativamente mayor.
Transistor de canal semiconductor de óxido DRAM (OCTRAM)
Kioxia no tiene mucho que ver con la DRAM, pero un equipo e investigadores del fabricante de RAM Nanya están trabajando en lo que se llama el transistor de canal semiconductor de óxido DRAM, u OCTRAM para abreviar. El corazón del sistema es un transistor vertical (palabra clave 3D DRAM), que requiere muy poca energía gracias a un semiconductor de óxido. Específicamente, los investigadores afirman haber producido una matriz OCTRAM funcional de 275 Mbit (~34 MB). También se habla del primer “transistor de canal semiconductor de óxido controlado por DRAM 4F2 (OCTRAM)” del mundo. Se comunicarán más detalles a los visitantes del MEI el 9 de diciembre.
MRAM de alta capacidad de almacenamiento
La memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio (MRAM) ha sido objeto de investigación durante aproximadamente 30 años. A diferencia de la DRAM, esta no es volátil y, por lo tanto, retiene los datos incluso cuando se apaga la alimentación.
Aunque la MRAM es tan rápida y duradera como la DRAM, está lejos de ser un sustituto porque la capacidad de almacenamiento por chip es demasiado baja y los costes por bit son correspondientemente altos. Por lo tanto, la MRAM es hasta ahora un producto de nicho y se utiliza, por ejemplo, como memoria resistente a la radiación en el sector aeroespacial o como sustituto de la SRAM en máquinas de juego.
El líder del mercado, Everspin, ofrece actualmente su STT-MRAM con una capacidad de almacenamiento máxima de 1 Gbit.
Kioxia y SK Hynix ahora quieren alcanzar un volumen de almacenamiento de 64 Gbit (8 GB) con su “Cross-Point MRAM”. Esto es incluso más de lo que podía soportar la DRAM anterior, que actualmente es de 32 GB. Las estructuras más delgadas son cruciales para una alta capacidad de almacenamiento. Estamos hablando de “la escala más pequeña jamás utilizada para MRAM”, con un medio paso de 20,5 nanómetros. Más detalles están previstos para el 10 de diciembre.
Nueva memoria flash 3D
El próximo 11 de diciembre, Kioxia quiere centrarse en su área central de memoria flash en la sesión “Escalabilidad superior del flash de canal horizontal avanzado para futuras generaciones de memoria flash 3D”. Se describe un diseño en el que las celdas no están dispuestas verticalmente, como en anteriores 3D NAND, sino horizontalmente. Hablamos de Horizontal Channel Flash (HCF) con celdas 2F2 minimizadas, destinado a conseguir un almacenamiento masivo fiable, con alta densidad de bits y bajos costes.
Temas: Investigación de memoria flash RAM 3D-NAND Industria de semiconductores IEDM 2024 Tecnologías de almacenamiento Almacenamiento MRAM de Kioxia Fuente: Kioxia
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