SK Hynix: la memoria TLC NAND con más de 300 capas entra en la serie 19 comentarios
Imagen: SK Hynix
SK Hynix ahora está produciendo en masa NAND de 321 capas, presentada este verano. La compañía lo anunció públicamente hoy. Por primera vez se supera la marca de los 300 pañales. Se trata de TLC NAND con 3 bits por celda y 1 Tbit por chip.
Esto significa que 3D NAND, que SK hynix llama “4D NAND”, ofrece más capas celulares que el G9 de Micron con 276 capas o el V9 de Samsung con 286 capas. Pero esto no dice nada sobre las propiedades de la memoria. Además de la densidad de la superficie, también influyen el rendimiento y la durabilidad.
En cuanto a capacidad de almacenamiento por chip, todas las memorias TLC mencionadas son de 1 Tbit, que en generaciones anteriores estaba reservada para variantes QLC de 4 bits por celda. Anteriormente, el almacenamiento TLC normalmente tenía 512 Gbits, o la mitad del volumen de almacenamiento.
SK Hynix había hablado anteriormente de más de 20 Gbit/mm² para su TLC NAND de 321 capas. Aún no hay una cifra concreta disponible, pero la densidad de área debería ser mayor que la del V9 TLC de Samsung. Sin embargo, el favorito en términos de densidad de superficie sigue siendo el V9 QLC de Samsung con 28,5 Gbit/mm².
SK Hynix también quiere aumentar el rendimiento con la nueva generación y habla de tasas de transferencia un 12% más altas y un rendimiento de lectura un 13% más alto en comparación con la generación anterior. Como suele ocurrir, esta información no es concreta. Sin embargo, no se ven tan bien como los aumentos para “300+ Layer NAND” mencionados en ISSCC 2023. Es posible que la información de la siguiente tabla ya no esté actualizada.
Se espera que los nuevos chips de memoria estén disponibles en productos durante la primera mitad de 2025.
TLC 3D-NAND en comparación Micron G9 Micron B58R Kioxia/WD BiCS6 Samsung V9* Samsung V8 SK Hynix V9* SK Hynix V8 YMTC Tipo (bit/celda) TLC (3 bits) Capacidad 1 Tbit Aeronave 6 4 ? 4 6 capas (WL) 276 (2×138) 232 (2×116) 162 (2×81) 286 (2×143) 238 321 (3×107) 238 (2×119 ?) 232 Superficie de la matriz ~ 49 mm² ~70 mm² 98 mm² ~60 mm² 89 mm²? 89 mm² 68 mm² Densidad 21 Gb/mm² 14,6 Gb/mm² 10,4 Gb/mm² ~17 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² >20 Gb/mm² 11,5 Gb/mm² 15 Gb/mm² Lectura (tR ) ? ¿50 µs? 45 µs 34 µs 45 µs ? ¿programa? ¿160 MB/s? 164 MB/s 194 MB/s 164 MB/s ? E/S 3,6 Gb/s 2,4 Gb/s 2,0 Gb/s 3,2 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s 2,4 Gb/s *Datos clave en parte no confirmados, respectivamente estimados u obsoletos Temas: SK Hynix Storage 3D NAND flash memoria Fuente: SK Hynix
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